I ricercatori IBM hanno annunciato oggi un progresso nelle simulazioni basate su computer, che aiuterà a portare le tecnologie dei chip verso nuovi traguardi in termini di prestazioni e funzioni. Come riferito dalla rivista scientifica Physical Review Letters, un’équipe di scienziati del centro di Ricerca IBM di Zurigo ha utilizzato per la prima volta modelli di simulazione avanzati, eseguiti su di supercomputer, per approfondire la conoscenza del comportamento complesso di un nuovo materiale promettente – il biossido di afnio – nei transistor al silicio, i componenti fondamentali dei chip dei computer.

Il nuovo materiale è un elemento chiave della tecnologia “high-k metal gate”, recentemente annunciata dall’azienda; si tratta del primo importante cambiamento nel transistor dall’avvento dei semiconduttori in silicio e promette di migliorare in modo significativo le prestazioni dei chip, a vantaggio dei computer e di altri sistemi elettronici. IBM sta sviluppando la tecnologia e la applicherà ai prodotti nel 2008.

L’industria dei semiconduttori è da tempo alla ricerca di un nuovo materiale da utilizzare in una parte cruciale del transistor, nota come il dielettrico di gate, che – con i materiali usati attualmente – limita la possibilità per il settore di tenere il passo con la Legge di Moore, che prevede il raddoppio del numero di transistor su un chip, e l’aumento associato delle prestazioni dei chip, ogni 12-18 mesi.[...] Maggiori dettagli